联电与美商共同开发28奈米

【新唐人2013年07月23日讯】23日,晶圆代工厂联电宣布,与美国低功耗半导体技术开发商SuVolta携手,共同开发28奈米制程技术。

据中央社报导,联电表示,与SuVolta的合作,是将SuVolta的深度耗尽通道(DDC)电晶体技术,整合到联电的28奈米高介电常数金属闸极(HKMG)高效能移动(HPM)制程。

联电指出,透过与SuVolta合作,将可利用DDC电晶体技术的优势,降低功耗,并提高静态随机存取记忆体(SRAM)的低电压效能。

联电表示,客户可选择所有电晶体都使用DDC技术,或用DDC电晶体取代现有设计中部分电晶体。

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