联电与美商共同开发28奈米

【新唐人2013年07月23日讯】23日，晶圆代工厂联电宣布，与美国低功耗半导体技术开发商SuVolta携手，共同开发28奈米制程技术。

据中央社报导，联电表示，与SuVolta的合作，是将SuVolta的深度耗尽通道(DDC)电晶体技术，整合到联电的28奈米高介电常数金属闸极(HKMG)高效能移动(HPM)制程。

联电指出，透过与SuVolta合作，将可利用DDC电晶体技术的优势，降低功耗，并提高静态随机存取记忆体(SRAM)的低电压效能。

联电表示，客户可选择所有电晶体都使用DDC技术，或用DDC电晶体取代现有设计中部分电晶体。