美日20多厂合作 研发MRAM技术

【新唐人2013年11月24日讯】 “日经新闻”今天（24日）报导，日本及美国超过20家晶片制造商，将携手开发下一代磁阻式随机存取记忆体（MRAM）的量产技术。

据中央社编译报导，美国晶片大厂美光科技公司（Micron Technology）及东京威力科创公司（Tokyo Electron）将主导合作开发案，希望于3年内让技术臻于成熟，并于2018年开始量产。

日经报导，磁阻式随机存取记忆体容量将是动态随机存取记忆体（DRAM）的10倍，功耗将降低至目前标准的约2/3。

根据支持者，MRAM将提高运算速度并降低耗电量，电池续航力将更强大。

日经报导，信越化学工业株式会社（Shin-Etsu Chemical）、瑞萨电子公司（Renesas Electronics）及日立（Hitachi）等企业，都参与这项合作开发案。

根据报导，日本东芝（Toshiba）及南韩海力士（SK Hynix）也另外合力开发MRAM技术，南韩三星电子（Samsung Electronics）则是自行研发MRAM技术。