中国自制8奈米DUV光刻机?说法被驳斥

【新唐人北京时间2024年09月17日讯】近日在中国大陆社媒上,中国已能自制8奈米DUV光刻机以及掌握7纳米光刻技术的说法甚嚣尘上,但这些说法遭到业内人士驳斥。据指这场虚假荣耀的主要起因,是混淆了光刻机的分辨率套刻精度的概念,以及对上海微电子申请EUV技术专利的捕风捉影,被指为“阿Q式自欺欺人”。

中共工信部9月初公布了“首台(套)重大技术装备推广应用指导目录(2024年版)”。其中列出的一台DUV光刻机的核心技术指标显示,其分辨率为≤65nm,套刻精度≤8nm。其后,网络社群中就开始流传中国已取得“重大技术突破”,可生产8奈米及以下晶片的说法。

与此同时,有网民根据外媒有关上海微电子已在国内申请了一系列“EUV技术专利”的报导,推导出了中国已掌握了制造7奈米及以下晶片的关键技术的结论。

一时间,“爱国主义”情绪在网络社群中迅速膨胀,然而,在专业人士眼中,这只是一场令人啼笑皆非的闹剧。

“芯智讯”引述专家指出,从工信部公布的技术参数来看,列表中那台氟化氩光刻机的分辨率(也称解析度)≤65nm,套刻精度为≤8nm。虽然相比之前上微生产的SSA600光刻机(解析度为90nm)在技术水平上有所提升,但并未达到28奈米晶片的程度,距离制造8奈米晶片就更加遥远。

从技术上来说,65nm的分辨率,意味着单次光刻能够达到的制程节点大约为“65奈米”;而“套刻≤ 8nm”指的只是套刻精度,并不意味着光刻技术已达到可以生产8nm晶片的程度。

科技媒体“WccfTech”的报导则直言,中国新公布的国产DUV曝光机的核心指标显示,中方已掌握的光刻技术至少落后美国15年,因为荷兰半导体设备公司 ASML 的客户,至少在 2009 年就可以透过其 ArF光刻机生产相应水准的晶片了。

此外,德国之声的一篇报导提及,上海微电子向中国国家智慧财产权局申请了一系列EUV技术专利。加上华为去年推出旗舰机Mate 60 Pro曾号称搭载的是中芯国际生产的7奈米晶片,中国的小粉红们因此就坚信,上海微电子等中国半导体企业已经掌握了制造7奈米及以下晶片的关键能力。

然而,台湾媒体却注意到,虽然中国网络社交平台上不少人在为中国的芯片技术取得“重大突破”而大肆庆祝,但官方媒体与有关厂商却并没有公开证实这种说法,也未发布任何实际的应用。

针对华为与中芯国际已掌握芯片制造的关机技术的说法,BBC中文网引述半导体研究者、新加坡国立大学商学院讲师卡布利(Alex Capri)的评论指出:目前还没有决定性证据表示华为拥有了相关关键技术的“全本土供应链”,更大的可能性是,中方可能找到了规避美国出口管制的方法,可以继续获得关键的外国技术。

(记者何雅婷综合报导/责任编辑:林清)

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