20及30奈米制程 主流技术

【新唐人2013年01月07日讯】(中央社记者张建中新竹7日电)研调机构集邦科技预期，服务器与行动记忆体将成今年动态随机存取记忆体(DRAM)市场主流，20奈米及30奈米制程将是主流技术。

集邦科技表示，随着英特尔Haswell即将发表，行动记忆体可望导入笔记型电脑应用市场；另外，受惠线上云端服务成长，服务器记忆体容量将增加3成。

反观个人电脑DRAM位元恐将衰退27%，集邦科技预期，服务器与行动记忆体将成今年DRAM市场主流，预期将占整体DRAM的2成。

集邦科技表示，台系DRAM厂今年将退出个人电脑DRAM市场，转进利基型DRAM及晶圆代工领域；全球DRAM市场将由三星、海力士及美光寡占，3厂商将囊括超过9成市占率。

集邦指出，导入20奈米制程技术需添置极紫外光(EUV)设备，成本远高于浸润式设备，部分DRAM厂因而将导入20奈米以下制程技术时程延迟至明年，预期20奈米及30奈米制程仍将是今年市场主流技术。

集邦预期，减产效应可望为个人电脑DRAM市场带来转机，产品价格将可逐步回复至健康水位。