辉达最强AI芯片H200问世 台积电4奈米助攻

【新唐人北京时间2023年11月14日讯】产业动态来看到,辉达13日宣布推出,新款旗舰级AI晶片,2024年第二季将对市场供货,该款晶片(芯片)效能大幅提升,采用台积电4奈米助攻生产,相关台厂供应链也可望受惠。

人工智慧系统模组更加庞大,美国大厂辉达(Nvidia),13日宣布升级旗舰AI晶片,端出H200,不仅是旗下首款采用高频宽记忆体(HBM3e),加速生成式人工智慧和大型语言模型开发运算,与H100相比,容量几乎翻倍,频宽增加1.4倍。

NVIDIA副总裁 Ian Buck(2023.11.13):“更快更广泛的HBM记忆体的整合,有助于提高运算要求较高的任务,包括生成式AI模型和HPC应用程式效能。H200还通过近乎1.8倍的方式,显着扩展了记忆体容量,每个GPU达到总共141GB。此外HGX H200与HGX 100系统完全兼容,使我们的合作伙伴,能够使用为H100设计的相同服务器系统,来支援H200,无需重新设计。”

外电报导,包括亚马逊的AWS、Alphabet的Google Cloud,以及甲骨文的云端基础础设施(Cloud Infrastructure)等大厂,明年率先导入辉达H200,背后更得仰赖台湾供应链。

H200采用台积电4奈米制程,以及CoWoS先进封装,辉达并增加CoWoS量能,也找上联电、日月光支援。

Nvidia副总裁 Ian Buck(2023.11.13):“为了创建和训练这些LLM的改进版本,需要具有大规模计算能力的超级计算机。测量今天的数据显示,H200在相同的GPT-3上比A100高效18倍。这只是一个开始。”

AI晶片市场竞争激烈,不仅超微(AMD)在本季推出MI300晶片,英特尔所推出的Gaudi 2,声称其速度比H100更快,也让辉达不敢大意,再次将H100升级,藉以维持领先地位。

新唐人亚太电视林嘉韦、沈唯同台湾台北整理报导

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