旺宏IBM 持续开发记忆体

【新唐人2013年01月29日讯】(中央社记者张建中新竹29日电)记忆体制造厂旺宏电子今天宣布，与美国国际商业机器公司(IBM)继续合作，共同开发高密度的相变化非挥发性记忆体技术。

旺宏于民国94年与IBM及英飞凌共组研究合作联盟，共同开发相变化非挥发记忆体技术，期能突破现有浮动闸极式非挥发性记忆体技术蓝图的极限。

2010年合作期满后，旺宏与IBM签约，继续合作开发高密度相变化非挥发性记忆体技术；双方合作又于今年1月21日到期，旺宏再次与IBM签约，持续合作开发高密度相变化非挥发性记忆体技术。

旺宏表示，透过与IBM合作开发，将可共同分担研发费用，减轻开发成本负担，并强化长期技术竞争力。