【新唐人2012年5月20日讯】(中央社记者张建中新竹2012年5月20日电)晶圆代工厂台积电与联电同步积极扩厂，12吋晶圆产能为两公司扩产重点；晶圆代工业军备竞赛再度展开。
尽管半导体产业今年成长恐将趋缓，全球半导体业产值将仅较去年小幅成长2%至3%，不过，台积电与联电扩产脚步丝毫不敢松懈。
继台积电于4月9日举行南科晶圆14厂第5期新建工程动土典礼后，联电也将跟进于5月24日举行南科12A厂第5期及第6期厂房动土典礼。
为满足客户28奈米制程强劲需求，以及加速20奈米制程开发时程，台积电决定将今年资本支出自原本预估的60亿美元，大幅调高到80亿至85亿美元，调幅达33%至41%。
联电今年资本支出也将达20亿美元规模。
台积电估计，今年总产能将达1483.4万片8吋约当晶圆规模，将较去年增加12%；其中，12吋晶圆产能将较去年增加17%，预计今年底12吋晶圆产能比重将达58%，跃居台积电主力。
台积电预计，中科15厂于4月量产，年底将有5万片28奈米制程产能，将是有史以来量产速度最快的超大晶圆厂，明年第1季将可满足客户对28奈米制程产能的需求。
联电虽然上半年产能将仅微幅增加，不过，随着新产能陆续开出，今年总产能将可较去年增加4%，其中，12吋晶圆产能将较去年增加达8%。
为更长远发展规划，联电已向南科管理局谈妥12A厂第7期及第8期厂房用地，将在第5期及第6期厂房兴建完成后，再视市场状况决定兴建时程。
12吋晶圆产能同为台积电与联电扩产重点，不过，在积极扩充先进制程产能的同时，两家公司也一致努力开发特殊制程技术。如台积电今年即计划斥资2亿美元开发嵌入式快闪记忆体等特殊制程技术。
为因应近年庞大资本支出资金需求，台积电与联电也同时计划举债筹资；其中，联电计划发行新台币100亿元无担保普通公司债，75亿元额度为5年期公司债，25亿元为7年期公司债。
台积电也透露，将以发行公司债为筹资优先考量。
除了台积电与联电外，中国大陆晶圆代工厂中芯国际也积极展开扩产，日前宣布将合资成立新公司，在北京12吋晶圆厂进行第2期厂房扩建计划，新厂月产能约7万片规模，预期晶圆代工业竞争态势仍将激烈。
