产业回顾与展望专题系列十(中央社记者张良知台北二十八日电)在记忆体产能供过于求及消费市场需求不振的双重影响下，记忆体模组厂商不仅今年第三季无旺季效应可言，更面临价格下滑的库存压力；展望第四季，业者除寄望制造端持续减产稳住价格外，也期待全球经济回温能带动耶诞节的消费需求。
DRAM(动态随机存取记忆体)产业今年处于近15年来最大的空头，加上制造大厂 9月后可能变成现金净流出，在目前产业仍供过于求的情况下，力晶率先宣布减产10%至15%，尔必达 (Elpida)也跟进减产1成，韩系大厂海力士 (Hynix)于9月18日宣布减产20%的DRAM产能。
但是，减产所带动的短期股价反弹，并未激励报价回升，在减产幅度不足、效应仍需时间发酵下，DRAM9月下旬合约价出乎市场预期重挫逾 16%，最大跌幅甚至接近两成，创一年来最大跌幅，报价再度触及历史新低，并预期10月持续看跌。
根据集邦科技(DRAMeXchange)报价，9月下旬512Mb与1Gb容量DDRII晶片同步重挫，跌幅介于16.64%至19.2%，均价各为0.72美元与1.44美元，都是DDRII问世以来的最低价。
上游晶片价格持续滑落，下游模组产品价格同步走跌。9月下旬 1GB与2GB DDRII模组价格破底，跌幅高达13.89%至15.63%，均价分别为14.5美元及29美元的历史新低价。
另外，继DRAM报价续挫后，9月下半月 NAND Flash(NAND型快闪记忆体)合约价，也因主要应用的消费性电子产品对Flash需求不振，以及市场能见度不高下，MLC（多层式储存格）规格合约价格全面下跌，在主流颗粒的部分，8Gb跌幅约12%、16Gb跌幅则约10%。
由于欧美地区的消费力道转弱，NAND Flash第三季合约价加速下跌，其中8月合约价跌幅达2成的水准，9月跌幅亦超过15%，第三季整体跌幅超过3成，今年以来跌幅则超过 8成；因模组厂及制造厂为避免季报提列库存损失，在保守留金的策略下，季底清库存的动作恐将持续，短期价格反弹不易。
威刚科技董事长陈立白表示，由于供过于求及需求不振的二个问题持续存在，DRAM及NAND Flash今年没有旺季可言。近期上游厂减产，只是“做了早就该做的事情”，但重点是几家DRAM厂会跟进；陈立白认为，DRAM及NAND Flash未来二个月还有跌价空间，最辛苦的时间还没到。
集邦科技分析师表示，在力晶与尔必达宣布减产后，海力士也宣布减产20%的DRAM产能。由于海力士在全球市占率约20%，估算所减少的产能约占全球DRAM产出的3%至3.5%，加上力晶与尔必达减产的部分，集邦科技估计，目前所减少的产能约占全球产能的5%至6%左右。
集邦科技认为，DRAM颗粒价格已跌至现金成本 1.3美元至1.5美元间，加上 DRAM市场自2007年第二季以来历经连续七季的亏损，更让DRAM厂面临到史无前例的庞大财务压力；因此若成本结构不佳DRAM厂，后续跟进减产行列，使全球产能减少8%至10%，将有利 DRAM市场提早复苏。
整体来看，由于DRAM及NAND Flash短期价格仍不易跌深反弹，国内相关记忆体模组厂第三季在价格续跌的情况下，营运压力不小。
展望第四季，模组厂商寄望于南韩三星电子(Samsung Electronics)等大厂是否持续加入减产，才能使价格有机会止跌走稳，而感恩节及耶诞节能否刺激压抑已久的买气，将是需求面今年的寄望。
