【新唐人2010年12月14日讯】（中央社记者杨淑闵台北14日电）国家实验研究院奈米元件实验室（NDL）已开发出全球最小9奈米功能性电阻式记忆体（R-RAM）阵列晶胞，容量比现行快闪记忆体增加20倍，耗电量降低约200倍，5到10年将量产。
国研院长陈文华、交通大学校长吴重雨、国研院奈米元件实验室主任杨富量，以及负责国研院奈米元件实验室开发“9奈米超节能记忆体”的NDL奈米生医与微机电元件组组长何家骅今天召开记者会，公布这项重大研究成果。
何家骅指出，目前的传统快闪记忆体从2004年的90奈米持续发展，2010年已开发到32奈米，预计2011年将开发出22奈米；但是2013年将面临技术瓶颈，只剩多层堆叠IC及电阻式记忆体两种技术可持续使用、开发。
他说，他的研究团队开发出的9奈米功能性电阻式记忆体（R-RAM）阵列晶胞，是利用三氧化钨、二氧化钨及钨电极的新混合结构，以及氧原子推动低耗电原理，开发出全球目前最小的9奈米R-RAM，容量比现行快闪记忆体增加约20倍，耗电量则降低约200倍。
他强调，这种新记忆体可在几乎不需耗电的情况下，在1平方公分、仅约拇指指甲大小的面积内储存1个图书馆的文字资料（约等同100小时3D立体电影、200小时DVD影片、10万首MP3、100万张照片）；且可再藉立体堆叠设计，进一步提升容量，让资讯电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性，包含笔电都将轻薄化。
这项重要开发成果，已于12月8日在美国旧金山举行的国际电子元件会议（IEDM）正式发表，引起国际微电子产学研界高度重视，更被大会选为重点宣传论文之一，并被其他国外电子领域专业协会如电机电子工程师协会 (IEEE)、日本经济新闻（BP）等列为重要报导。
何家骅预计，这项新技术5到10年内量产，可让目前全球新台币1兆元的传统快闪记忆体产值达2兆元，并让只是代工、需付权利金，使得产值仅占全球产值1%不到的台湾快闪记忆体产值占比提升到占全球产值的10%。
为达这些目标，何家骅说，NDL将在明年与产学研界共组“16-8奈米元件联盟”，以其近年来所开发的奈米技术为基础，提供台湾产学研界研发平台，加速互补式金属/氧化层/半导体 (CMOS)元件与记忆体元件的技术开发，并厚植台湾半导体科技的人才基础。
