【新唐人2011年3月15日讯】(中央社记者张建中新竹15日电)DRAM 与NAND Flash现货价在14日大涨后,今天持续走扬,只是涨幅已明显缩小。南科等记忆体族群今天股价普遍走跌,尔必达TDR与旺宏持续重挫跌停。
日本大地震,市场忧心硅晶圆短期供应恐将吃紧,包括力晶、三星及海力士等动态随机存取记忆体(DRAM)及储存型快闪记忆体(NAND Flash)记忆体供应商纷纷停止现货报价。
在市场预期涨价心理激励下,14日DRAM与NANDFlash现货价同步大涨;其中,DDR3 2Gb品牌颗粒现货均价上涨7.29%,NAND Flash现货均价更大涨2成左右。
DRAM与NAND Flash现货价今天持续走扬,只是上涨幅度已明显缩小;根据集邦科技调查,DDR3 2Gb颗粒现货均价为2.14美元,小涨0.23%;DDR3 2Gb eTT(有效测试颗粒)均价为1.95美元,上涨0.21%。
NAND Flash方面,市场主流的32Gb MLC现货均价为6.11美元,上涨0.83%;32Gb TLC现货均价为5美元,上涨1.01%。
来台发行台湾存托凭证的日本记忆体大厂尔必达TDR今天持续重挫跌停,任天堂唯读记忆体 (ROM)主要供应商旺宏也同步跌停,达新台币17.65元,续创今年新低价。
其余南科、华亚科、华邦电、威刚及创见等记忆体族群今天股价也随着大盘重挫而走跌;其中,华亚科及华邦电一度跌停,分别来到13.95元、8.64元等。
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